КМГ: „Чайна Мобайл“ постигна рекорд с високодименсионни заплетени състояния
Екип на „Чайна Мобайл“ създаде трикомпонентни, четиримерни GHZ и W заплетени състояния върху силициев фотонен квантов чип.
Снимка: Китайска медийна група
Изследователи от китайския телекомуникационен оператор „Чайна Мобайл“ съобщиха за рекорд в квантовите технологии. Екипът е създал високодименсионни многокомпонентни заплетени състояния върху силициев фотонен квантов чип.
Учените са реализирали трикомпонентни, четиримерни GHZ и W заплетени състояния. В материала W състоянията са описани и като състояния от тип B. Получените точности достигат съответно 93,2 процента и 90,1 процента.
Според „Чайна Мобайл“ резултатът представлява най-мащабната досега демонстрация на високодименсионно многокомпонентно квантово заплитане. Компанията посочва, че подходът може да помогне за преодоляване на важна пречка пред разширяването на квантовите системи.
Квантовото заплитане е основа на редица квантови технологии. То позволява обработка и предаване на информация по начини, недостъпни за традиционните компютри.
Стандартният кубит има две основни състояния — 0 и 1. Високодименсионната квантова единица може да разполага с четири или повече състояния. Така тя може да пренася повече информация и да осигурява по-висока устойчивост на шум.
Ключовият елемент в разработката е използването на различните възможни състояния на отделните фотони. Това позволява един фотон да носи няколко квантови единици информация.
Експериментът е проведен върху програмируем силициев фотонен чип с размери 16 на 1,5 милиметра. Изследователите са създали едновременно двата основни типа заплетени състояния, използвани в експеримента.
Според компанията този метод улеснява създаването на по-големи квантови системи. Авторите твърдят, че подходът може да се разшири към системи с по-голям мащаб.
Постижението може да намери приложение в квантовите комуникации, изчисленията и високоточните измервания. „Чайна Мобайл“ планира да продължи изследванията върху практическото използване на технологията.
Разработката се вписва в по-широките усилия за развитие на силициеви решения за квантови чипове. Наскоро беше съобщено и за пробив в ключов материал за квантови чипове.
